作為在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下工作的能量轉(zhuǎn)換裝置，開(kāi)關(guān)電源的電壓和電流變化率高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度大;干擾源主要集中在電源開(kāi)關(guān)和散熱器以及與其連接的高電平變壓器上，數(shù)量相對(duì)于電路干擾源的位置清晰;開(kāi)關(guān)頻率不高(從幾十千赫茲和幾兆赫茲)，主要形式的干擾是傳導(dǎo)干擾和近場(chǎng)干擾;印刷電路板(PCB)走線通常是手工布線的。它具有更大的隨機(jī)性，這增加了提取PCB分布參數(shù)和估計(jì)近場(chǎng)干擾的難度。
在1MHz范圍內(nèi)，差模干擾占主導(dǎo)地位，增加X(jué)電容可以解決這個(gè)問(wèn)題。
1mhz-5mhz-差動(dòng)模式共?；旌希幂斎攵撕鸵贿B串的X電容輸出管，在外圈中用25-10元的差動(dòng)和外圈的銅環(huán)濾鏡濾鏡濾鏡和放大的銅環(huán)，分析哪種干擾是過(guò)量的;5m-以上是以共觸干涉為基礎(chǔ)，采用壓制共觸的方法，外殼接地，使用磁圈2在10hu以上，可以有更大的
30~50 MHz通常由MOS晶體管的高速關(guān)斷引起，這可以通過(guò)增加MOS驅(qū)動(dòng)電阻來(lái)解決，在RCD緩沖電路中采用1N4007慢管，在VCC供電電壓下使用1N4007慢管。
100 --- 200MHZ一般由輸出整流器的反向恢復(fù)電流引起，可用于整流器上的磁珠串
在100MHz和200MHz之間，主要來(lái)自PFCMOSFET和PFC二極管。目前，MOSFET和PFC二極管的串聯(lián)珠是有效的。水平方向基本上可以解決這個(gè)問(wèn)題，但垂直方向卻很無(wú)助。
開(kāi)關(guān)電源的輻射一般只影響100米以下的頻段。也可以在mos二極管上加入相應(yīng)的吸收回路，但效率會(huì)降低。
設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)防止電磁干擾的措施
1.最小化噪聲電路節(jié)點(diǎn)的PCB銅面積;例如開(kāi)關(guān)的漏極和集電極，初級(jí)和次級(jí)繞組的節(jié)點(diǎn)等。
2.第二步。輸入輸出遠(yuǎn)離噪聲元件，如變壓器線圈、變壓器鐵心、開(kāi)關(guān)管散熱片等。
3.使噪聲元件(如無(wú)屏蔽變壓器導(dǎo)線、無(wú)屏蔽變壓器芯、開(kāi)關(guān)管等)遠(yuǎn)離外殼的外緣，因?yàn)橥鈿さ耐饩壴谡９ぷ飨潞芸赡軙?huì)靠近外緣地線。
4.如果變壓器不使用電場(chǎng)屏蔽，則將屏蔽和散熱片遠(yuǎn)離變壓器。
5.最小化電流回路的面積：次級(jí)(輸出)整流器，初級(jí)開(kāi)關(guān)功率器件，柵極(基極)驅(qū)動(dòng)線，輔助整流器。
6.不要將柵極(基極)驅(qū)動(dòng)反饋回路與主開(kāi)關(guān)電路或輔助整流電路混用。
7.調(diào)整優(yōu)化的阻尼電阻，使其在開(kāi)關(guān)的死區(qū)時(shí)間內(nèi)不產(chǎn)生響音。
8.防止EMI濾波器電感飽和。
9.使角節(jié)點(diǎn)和次級(jí)電路的組件遠(yuǎn)離主電路的屏蔽或開(kāi)關(guān)的散熱器。
10.使主回路的回轉(zhuǎn)節(jié)點(diǎn)和部件遠(yuǎn)離護(hù)罩或散熱器。
